ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВО ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ P-CDTE-NCDS И PCDTE-CDSE С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ
Аннотация
В данной статье рассмотрено фотоэлектрические и вольтамперные характеристики солнечных элементов на основе пленочных гетеропереходов p CdTe – n CdS и p CdTe – n CdSe с участием глубоких примесных уровней. Установлено, что в гетероструктурах значительно улучшается фоточувствительность при введении легиранта Ag и Cu в пленки CdTe и сдвигается ближе инфракрасной области спектра. Определено, глубокие примесные уровни в CdTe энергия активации, которых равны Ec=1,15 эВ.
Библиографические ссылки
P.J. Sellin, D. Hoxley, A. Lohstroh, A.Simon, W.Cunningham, M.Rahman, J.Vaitkus, E.Gaubas, Ion beam induced charge imaging of epitaxial GaN detectors, Nucl. Instr. Meth. Phys. A 531 (2004) 82-86.
C.Li, J.Poplawsky, Y. Yans, S.J. Pennycook, Understanding individual defects in CdTe thin-film solar cells via STEM: from atomic structure to electrical activity, Mater.Sci. Semicond. Process. 65 (2017) 64-76.
T. Okamoto, A. Yamada, M. Konagai, Optical and electrical characterizations of highly efficient CdTe thin film solar cells, Thin Solid Films 387 (2001) 6-10.
E. Fernander-Domingues, G. Torres-Deigado, R. Castanedo-Perez, Marguez-Marin, O.Zelaya-Angei. Effects of rapid thermal annealing as back contacts activation treatment on CdS/CdTe mult-contacted solar cells// Superlattices and Microstructures 2021, volume 151 March 2021, 106832 doi.org/10.1016/j.spmi.2021.106832.
Ali Ciris, M. Bulent, Basol, Yayuz Atasoy, Taytur Kuchinmeroglu, Adullah Karaca, Murat Tomakin, Emin Bacaksiz. Effect of CdS and CdSe pretreatment of interdiffusion with CdTe in CdS/CdTe and CdSe/ CdTe heterostructures// Materials Science in Semiconductor Processing 2021, june, volume 128, 105750 doi.org. 10.1016/jimssp.2021.105750.
Отажонов С.М. Фотоприемник в ближней ИК-области поглощения на основе CdTe-SiO2-Si // Прикладная физика. Научно-технический журнал. Москва, Россия, 2005. N1.C.95-97 https://applphys.orion-ir.ru/appl-05/05-1/05-1-r.htm.
Отажонов С.М. Фотодетектор для регистрации рентгеновского и ультрафиолетового излучений на основе гетероструктур CdTe-ZnSe// Прикладная физика. Научно-технический журнал. Москва, Россия, 2005. N2.C.42-45 https://applphys.orion-ir.ru/appl-05/05-2/05-2-r.htm.
H.Aлимов., Н.Жураев., П.Мовлонов., М.Халилов., С.Отажонов. Элементы памяти с управляемым временем запоминания и спектральной фоточувствительности// Патент№ IAP 20170249 Агенства по интеллектуальной собственности РУз 26 декабря 2017. Официальный бюллетень 2018, 12(212).
M. Rami, E. Benamar, M. Fahoume, F. Chraibi, and A. Ennaoui. Effect of heat treatment with CdCl2 on the electrodeposited CdTe/CdS heterojunction// M.J. CONDENSED MATTER. VOLUME 3, NUMBER 1.1 JULY 2000. P. 68-70//https://www.researchgate.net/publication/229172307.
E.Arteqiani, P.Punathit, V.Kumar, M.Berton-cello, M.Meneghini. Effects of CdTe selenization on the electrical properties of the absorber for the fabrication of CdSex Te1-x / CdTe based solar cells//Solar Energy. Volume 227, October 2021, Pages 8-12. https://doi.org/10.1016/j.solener.2021.08.070
С. Отажонов, Р. Эргашев, Н. Юнусов. Изучение поверхностной рекомбинации гетеропереходов на основе p CdTe – n CdS и p CdTe – n CdSe. // ISSN 2308-4804. Science and world. 2022. № 9 (109).
Отажонов С.М. Фотоприемник в ближней ИК-области поглощения на основе CdTe-SiO2-Si // Прикладная физика. Научно-технический журнал. Москва, Россия, 2005. N1.C.95-97 https://applphys.orion-ir.ru/appl-05/05-1/05-1-r.htm.
С.Отажонов, Р. Эргашев. Улучшения характеристики фотоэлементов на основе p CdTe – n CdS и p CdTe – n CdSe при термоциклирование в области альтернативных источников энергии // Научно технический журнал «Узбекгидроэнергетика» 2022*№3 (15).
S.M. Otajonov, R.N.Ergashev. Influence of thickness and temperature on photoelectric properties of p-CdTe-nCdS and pCdTe-CdSe heterostructures. //Journal of physics.conferen.ser. tom 3388 (2022).
