ВЛИЯНИЕ КОРОННОГО РАЗРЯДА НА СПЕКТРАЛЬНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК
Аннотация
Рассмотрены управления фоточувствительности плёнок CdTe под действием внешних воздействий, которые актуальные для создания фоточувствительных гетероструктур, работающих в ближнем (до 3 мкм) и дальнем (8-14мкм) ИК диапазоне. Теллурид кадмия (CdTe) является многообещающим материалом для детекторов частиц из-за его устойчивости к радиоактивному излучению. По сравнению с другими материалами GaAs и GaN CdTe эффективен при значительно более высокой регистрации ионизирующего излучения и является необходимым материалом для регистрации излучения до 250 кэВ [1].
Библиографические ссылки
Sellin P.J., Hoxley D., Lohstroh A., Simon A., Cunningham W., Rahman M., Vaitkus J., Gaubas E., Ion beam induced charge imaging of epitaxial GaN detectors, Nucl. Instr. Meth. Phys. A 531 (2004) 82–86.
Otajonov S.M., Alimov N.E., Movlonov P.I., Botirov K.A. CdTe-SiO2-Si-Al heterostructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.// Euroasion Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020.-p.22-25.
Gaubas E., Čeponis T., Dobrovolskas D., Mickevičius J., Pavlov J., Rumbauskas V., Vaitkus J.V., Otajonov S., Alimov N. Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy // Thin Solid Films, 2018 -Рр. 231–235 (№3 Scopus, IF = 2.183)
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Ботиров К.А. «Создание преобразователя излучения на основе пленочной гетероструктуры p-CdTe-ZnSe»//ISSN 2308-4804. Science and World. 2020. № 11 (87). С.11-15. (№5 GIF, IF= 0,325)
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Мавлонов П. Управление фоточувствительности гетероструктуры CdTe-SiO-Si -Al с глубокими примесными уровнями под действием внешных факторов// ISSN 3375-2389. Danish scientific journal. Vol. 1, №34, 2020, С. 28-33 (№20 GIF)
Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М., Алимов Н.Э. Особенности физических свойств модифицированной поверхности пленочной гетероструктуры p – CdTe–ZnSe c глубокими примесными уровнями.// Scientific Bulletin. Physical and Mathematical Research, - , 2019. –Vol.1 Article2. -Pp.15-21. (01.00.00; №13)
Otajonov S.M., Alimov N.E., Movlonov P.I., Botirov K.A. CdTe-SiO2-Si-Al heterostructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.// Euroasion Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020.-Pp.22-25. (01.00.00; №16)
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Абдулахамидов А, Акбаров К., Умарова М. Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего электрического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями.// «Физическая инженерия поверхности». Украина 2008 г. Т.6. № 1-2, С. 58-60
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Акбаров К., Абдуллаев Қ., Дадажонова Х., Отажонова Д., Рахмонқулов М. Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si// Физическая Инженерия Поверхности. 2009 том 7. №1-2. Украина.
Salim Madrahimovich Otajonov, Qaxxorova Barchinoy Abdiraximovna //Polymer and Composition Materials// Texas Journal of Engineering and Technology. Vol. 9 06-2022. 103-106-page
