ВЛИЯНИЕ КОРОННОГО РАЗРЯДА НА СПЕКТРАЛЬНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК
Abstract
Рассмотрены управления фоточувствительности плёнок CdTe под действием внешних воздействий, которые актуальные для создания фоточувствительных гетероструктур, работающих в ближнем (до 3 мкм) и дальнем (8-14мкм) ИК диапазоне. Теллурид кадмия (CdTe) является многообещающим материалом для детекторов частиц из-за его устойчивости к радиоактивному излучению. По сравнению с другими материалами GaAs и GaN CdTe эффективен при значительно более высокой регистрации ионизирующего излучения и является необходимым материалом для регистрации излучения до 250 кэВ [1].
References
Sellin P.J., Hoxley D., Lohstroh A., Simon A., Cunningham W., Rahman M., Vaitkus J., Gaubas E., Ion beam induced charge imaging of epitaxial GaN detectors, Nucl. Instr. Meth. Phys. A 531 (2004) 82–86.
Otajonov S.M., Alimov N.E., Movlonov P.I., Botirov K.A. CdTe-SiO2-Si-Al heterostructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.// Euroasion Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020.-p.22-25.
Gaubas E., Čeponis T., Dobrovolskas D., Mickevičius J., Pavlov J., Rumbauskas V., Vaitkus J.V., Otajonov S., Alimov N. Study of polycrystalline CdTe films by contact and contactless pulsed photo-ionization spectroscopy // Thin Solid Films, 2018 -Рр. 231–235 (№3 Scopus, IF = 2.183)
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Ботиров К.А. «Создание преобразователя излучения на основе пленочной гетероструктуры p-CdTe-ZnSe»//ISSN 2308-4804. Science and World. 2020. № 11 (87). С.11-15. (№5 GIF, IF= 0,325)
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Мавлонов П. Управление фоточувствительности гетероструктуры CdTe-SiO-Si -Al с глубокими примесными уровнями под действием внешных факторов// ISSN 3375-2389. Danish scientific journal. Vol. 1, №34, 2020, С. 28-33 (№20 GIF)
Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М., Алимов Н.Э. Особенности физических свойств модифицированной поверхности пленочной гетероструктуры p – CdTe–ZnSe c глубокими примесными уровнями.// Scientific Bulletin. Physical and Mathematical Research, - , 2019. –Vol.1 Article2. -Pp.15-21. (01.00.00; №13)
Otajonov S.M., Alimov N.E., Movlonov P.I., Botirov K.A. CdTe-SiO2-Si-Al heterostructure photosensitivity control with deep impurity levels under external factors.// Euroasion Journal of Semiconductors Science and Engineering. 2020.-Pp.22-25. (01.00.00; №16)
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Абдулахамидов А, Акбаров К., Умарова М. Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего электрического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями.// «Физическая инженерия поверхности». Украина 2008 г. Т.6. № 1-2, С. 58-60
Отажонов С.М., Алимов Н.Э., Акбаров К., Абдуллаев Қ., Дадажонова Х., Отажонова Д., Рахмонқулов М. Оптическая спектральная память в пленочной гетероструктуре р-CdTe-SiO2-Si// Физическая Инженерия Поверхности. 2009 том 7. №1-2. Украина.
Salim Madrahimovich Otajonov, Qaxxorova Barchinoy Abdiraximovna //Polymer and Composition Materials// Texas Journal of Engineering and Technology. Vol. 9 06-2022. 103-106-page
