ФОРМИРОВАНИЕ СИЛИЦИДОВ В КОНТАКТНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ К КРЕМНИЕВЫМ ПРИБОРНЫМ СТРУКТУРАМ
Abstract
Подбор слоевой структуры, толщин и материалов металлизации призван обеспечить надежность и стабильность формируемых контактов, а также удовлетворить требования к их электрофизическим параметрам. Одной из основных причин деградации омических контактов к мощным СВЧ диодам являются массоперенос и межфазные взаимодействия, на границах раздела фаз.
References
Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике. //Микроэлектроника. -1982. Т.11.№2,с.83-94.
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Коростинская Т.В., Литвин О.С., Миленин В.В., Неволин П.В., Атаубаева А.Б. Омические контакты Au-Ti-n+Si, Au-Ti-Pd2Si-n+Si к кремниевым СВЧ диодам. //Техника и приборы СВЧ. -2009. -№2. –С.31-34.
Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Образование пленок силицидов на кремнии. //Поверхность. Физика. Химия. Механика. -1982.- №2.-С.1-12.
Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС М.:Мир.1986.-176с.
Ottaviani G. Review of binary alloy formation by thin film interactions. //J.Vac. Sci. Technol.-1979.-V.16.-N5.-P.1112-1119.
McQuhae K.G., Brown A.S. The lattice contraction coefficient of boron and phosphorus in silicon. //Solid.-State Electron. -1972. -v.15. -N3. -P.259-264.
